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NVF2955T1G
MOSFET P-CH 60V 2.6A SOT223
NOVA部品番号:
312-2287970-NVF2955T1G
製造元:
製造メーカー部品番号:
NVF2955T1G
ひょうじゅんほうそう:
1,000
技術データシート:
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P-Channel 60 V 2.6A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount SOT-223 (TO-261)
| カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - 単体 | |
| 製造元 | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| パッケージング | Tape & Reel (TR) | |
| 動作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| 取付タイプ | Surface Mount | |
| サプライヤーデバイスパッケージ | SOT-223 (TO-261) | |
| 基本製品番号 | NVF2955 | |
| テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) | |
| シリーズ | Automotive, AEC-Q101 | |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 2.6A (Ta) | |
| 駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 10V | |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 170mOhm @ 750mA, 10V | |
| Vgs(th) (最大) @ ID | 4V @ 1mA | |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 14.3 nC @ 10 V | |
| FETの特徴 | - | |
| パッケージ・ケース | TO-261-4, TO-261AA | |
| Vgs (最大) | ±20V | |
| FETタイプ | P-Channel | |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 60 V | |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 492 pF @ 25 V | |
| 消費電力(最大) | 1W (Ta) | |
| その他の名前 | NVF2955T1GOSDKR-ND 488-NVF2955T1GDKR NVF2955T1GOSCT-ND 488-NVF2955T1GTR NVF2955T1G-ND NVF2955T1GOSTR-ND NVF2955T1GOSCT 488-NVF2955T1GCT NVF2955T1GOSTR NVF2955T1GOSDKR 2156-NVF2955T1G-OS ONSONSNVF2955T1G |
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