BSC252N10NSFGATMA1

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MOSFET N-CH 100V 7.2A/40A TDSON

NOVA部品番号:

312-2281363-BSC252N10NSFGATMA1

製造元:

製造メーカー部品番号:

BSC252N10NSFGATMA1

ひょうじゅんほうそう:

5,000

技術データシート:

利用可能なダウンロード形式

ワシ

キッカド

N-Channel 100 V 7.2A (Ta), 40A (Tc) 78W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-1

More Information
カテゴリ	トランジスタ - FET、MOSFET - 単体
製造元	Infineon Technologies
RoHS	1
パッケージング	Tape & Reel (TR)
動作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ	PG-TDSON-8-1
基本製品番号	BSC252
テクノロジー	MOSFET (Metal Oxide)
シリーズ	OptiMOS™
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C	7.2A (Ta), 40A (Tc)
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)	10V
Rds オン (最大) @ Id、Vgs	25.2mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID	4V @ 43µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs	17 nC @ 10 V
FETの特徴	-
パッケージ・ケース	8-PowerTDFN
Vgs (最大)	±20V
FETタイプ	N-Channel
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)	100 V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds	1100 pF @ 50 V
消費電力(最大)	78W (Tc)
その他の名前	BSC252N10NSF GCT BSC252N10NSF GDKR BSC252N10NSF G BSC252N10NSFGATMA1CT BSC252N10NSFGATMA1TR BSC252N10NSFGATMA1DKR SP000379608 BSC252N10NSF G-ND BSC252N10NSF GCT-ND BSC252N10NSF GDKR-ND BSC252N10NSF GTR-ND BSC252N10NSF GTR