G12P03D3

P30V,RD(MAX)<20M@-10V,RD(MAX)<26
NOVA部品番号:
312-2315976-G12P03D3
製造メーカー部品番号:
G12P03D3
ひょうじゅんほうそう:
5,000
技術データシート:

利用可能なダウンロード形式

P-Channel 30 V 12A (Tc) 3W (Tc) Surface Mount 8-DFN (3.15x3.05)

More Information
カテゴリトランジスタ - FET、MOSFET - 単体
製造元Goford Semiconductor
RoHS 1
パッケージングTape & Reel (TR)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプSurface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ 8-DFN (3.15x3.05)
テクノロジーMOSFET (Metal Oxide)
シリーズ-
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C 12A (Tc)
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)4.5V, 10V
Rds オン (最大) @ Id、Vgs 20mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID 2V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs 24.5 nC @ 10 V
FETの特徴-
パッケージ・ケース8-PowerVDFN
Vgs (最大)±20V
FETタイプP-Channel
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)30 V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds 1253 pF @ 15 V
消費電力(最大) 3W (Tc)
その他の名前3141-G12P03D3CT
3141-G12P03D3TR

In stock もっと必要ですか。

$0.16900
Whatsapp

あなたが望む価格ではありませんか?フォームにご記入ください。至急ご連絡いたします。