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IPN80R2K4P7ATMA1
MOSFET N-CH 800V 2.5A SOT223
NOVA部品番号:
312-2263386-IPN80R2K4P7ATMA1
製造メーカー部品番号:
IPN80R2K4P7ATMA1
ひょうじゅんほうそう:
3,000
技術データシート:
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N-Channel 800 V 2.5A (Tc) 6.3W (Tc) Surface Mount PG-SOT223
| カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - 単体 | |
| 製造元 | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| パッケージング | Tape & Reel (TR) | |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 取付タイプ | Surface Mount | |
| サプライヤーデバイスパッケージ | PG-SOT223 | |
| 基本製品番号 | IPN80R2 | |
| テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) | |
| シリーズ | CoolMOS™ P7 | |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 2.5A (Tc) | |
| 駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 10V | |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 2.4Ohm @ 800mA, 10V | |
| Vgs(th) (最大) @ ID | 3.5V @ 40µA | |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 7.5 nC @ 10 V | |
| FETの特徴 | - | |
| パッケージ・ケース | TO-261-4, TO-261AA | |
| Vgs (最大) | ±20V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 800 V | |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 150 pF @ 500 V | |
| 消費電力(最大) | 6.3W (Tc) | |
| その他の名前 | INFINFIPN80R2K4P7ATMA1 IPN80R2K4P7ATMA1-ND IPN80R600P7 IPN80R2K4P7ATMA1CT 2156-IPN80R2K4P7ATMA1 SP001664994 IPN80R2K4P7ATMA1DKR IPN80R2K4P7ATMA1TR |
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