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CSD16411Q3
MOSFET N-CH 25V 14A/56A 8VSON
NOVA部品番号:
312-2282432-CSD16411Q3
製造メーカー部品番号:
CSD16411Q3
ひょうじゅんほうそう:
2,500
技術データシート:
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N-Channel 25 V 14A (Ta), 56A (Tc) 2.7W (Ta) Surface Mount 8-VSONP (3x3.15)
| カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - 単体 | |
| 製造元 | Texas Instruments | |
| RoHS | 1 | |
| パッケージング | Tape & Reel (TR) | |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 取付タイプ | Surface Mount | |
| サプライヤーデバイスパッケージ | 8-VSONP (3x3.15) | |
| 基本製品番号 | CSD16411 | |
| テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) | |
| シリーズ | NexFET™ | |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 14A (Ta), 56A (Tc) | |
| 駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 4.5V, 10V | |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 10mOhm @ 10A, 10V | |
| Vgs(th) (最大) @ ID | 2.3V @ 250µA | |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 3.8 nC @ 4.5 V | |
| FETの特徴 | - | |
| パッケージ・ケース | 8-PowerVDFN | |
| Vgs (最大) | +16V, -12V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 25 V | |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 570 pF @ 12.5 V | |
| 消費電力(最大) | 2.7W (Ta) | |
| その他の名前 | 296-24255-1 296-24255-2 -CSD16411Q3-NDR 296-24255-6-NDR 296-24255-1-NDR 296-24255-6 CSD16411Q3/2801-ND 296-24255-2-NDR -296-24255-1-NDR 2156-CSD16411Q3 CSD16411Q3/2801 -CSD16411Q3/2801-NDR TEXTISCSD16411Q3 -296-24255-1-ND -CSD16411Q3/2801 |
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