SPB80P06PGATMA1

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MOSFET P-CH 60V 80A TO263-3

NOVA部品番号:

312-2291923-SPB80P06PGATMA1

製造元:

製造メーカー部品番号:

SPB80P06PGATMA1

ひょうじゅんほうそう:

1,000

技術データシート:

利用可能なダウンロード形式

ワシ

キッカド

P-Channel 60 V 80A (Tc) 340W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2

More Information
カテゴリ	トランジスタ - FET、MOSFET - 単体
製造元	Infineon Technologies
RoHS	1
パッケージング	Tape & Reel (TR)
動作温度	-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ	PG-TO263-3-2
基本製品番号	SPB80P06
テクノロジー	MOSFET (Metal Oxide)
シリーズ	SIPMOS®
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C	80A (Tc)
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)	10V
Rds オン (最大) @ Id、Vgs	23mOhm @ 64A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID	4V @ 5.5mA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs	173 nC @ 10 V
FETの特徴	-
パッケージ・ケース	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs (最大)	±20V
FETタイプ	P-Channel
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)	60 V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds	5033 pF @ 25 V
消費電力(最大)	340W (Tc)
その他の名前	SP000096088 SPB80P06P G-ND SPB80P06PGATMA1CT SPB80P06PGXT SPB80P06PGINDKR-ND SPB80P06PGINCT SPB80P06P G SPB80P06PG SPB80P06PGINDKR SPB80P06PGATMA1DKR SPB80P06PGATMA1TR SPB80P06PGINDKRINACTIVE SPB80P06PGINCT-ND SPB80P06PGINTR SPB80P06PGINTR-ND