アルミニウム ワシ オーカード パッド キッカド 
GAN063-650WSAQ
GANFET N-CH 650V 34.5A TO247-3
NOVA部品番号:
312-2289907-GAN063-650WSAQ
製造メーカー部品番号:
GAN063-650WSAQ
ひょうじゅんほうそう:
30
技術データシート:
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N-Channel 650 V 34.5A (Ta) 143W (Ta) Through Hole TO-247-3
| カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - 単体 | |
| 製造元 | Nexperia USA Inc. | |
| RoHS | 1 | |
| 動作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| 取付タイプ | Through Hole | |
| サプライヤーデバイスパッケージ | TO-247-3 | |
| 基本製品番号 | GAN063 | |
| テクノロジー | GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET) | |
| シリーズ | Automotive, AEC-Q101 | |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 34.5A (Ta) | |
| 駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 10V | |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 60mOhm @ 25A, 10V | |
| Vgs(th) (最大) @ ID | 4.5V @ 1mA | |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 15 nC @ 10 V | |
| FETの特徴 | - | |
| パッケージ・ケース | TO-247-3 | |
| Vgs (最大) | ±20V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 650 V | |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 1000 pF @ 400 V | |
| 消費電力(最大) | 143W (Ta) | |
| その他の名前 | 1727-8711-6INACTIVE 1727-8711-1 1727-8711-2 GAN063-650WSA 1727-8711-6 1727-8711-6-ND 1727-8711-1INACTIVE 1727-8711-2-ND 1727-GAN063-650WSAQ 1727-8711-1-ND 934660022127 |
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