N-Channel 650 V 35A (Tc) 133W (Tc) Through Hole PG-TO247-4-3
カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - 単体 | |
製造元 | Infineon Technologies | |
RoHS | 1 | |
動作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
取付タイプ | Through Hole | |
サプライヤーデバイスパッケージ | PG-TO247-4-3 | |
テクノロジー | SiCFET (Silicon Carbide) | |
シリーズ | CoolSiC™ | |
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 35A (Tc) | |
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 18V | |
Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 74mOhm @ 16.7A, 18V | |
Vgs(th) (最大) @ ID | 5.7V @ 5mA | |
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 28 nC @ 18 V | |
FETの特徴 | - | |
パッケージ・ケース | TO-247-4 | |
Vgs (最大) | +20V, -2V | |
FETタイプ | N-Channel | |
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 650 V | |
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 930 pF @ 400 V | |
消費電力(最大) | 133W (Tc) | |
その他の名前 | 448-IMZA65R057M1HXKSA1 |
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