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SI2365EDS-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 5.9A TO236
NOVA部品番号:
312-2281491-SI2365EDS-T1-GE3
製造元:
製造メーカー部品番号:
SI2365EDS-T1-GE3
ひょうじゅんほうそう:
3,000
技術データシート:
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P-Channel 20 V 5.9A (Tc) 1W (Ta), 1.7W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
| カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - 単体 | |
| 製造元 | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| パッケージング | Tape & Reel (TR) | |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 取付タイプ | Surface Mount | |
| サプライヤーデバイスパッケージ | SOT-23-3 (TO-236) | |
| 基本製品番号 | SI2365 | |
| テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) | |
| シリーズ | TrenchFET® | |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 5.9A (Tc) | |
| 駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 1.8V, 4.5V | |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 32mOhm @ 4A, 4.5V | |
| Vgs(th) (最大) @ ID | 1V @ 250µA | |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 36 nC @ 8 V | |
| FETの特徴 | - | |
| パッケージ・ケース | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| Vgs (最大) | ±8V | |
| FETタイプ | P-Channel | |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 20 V | |
| 消費電力(最大) | 1W (Ta), 1.7W (Tc) | |
| その他の名前 | SI2365EDST1GE3 SI2365EDS-T1-GE3TR SI2365EDS-T1-GE3CT SI2365EDS-T1-GE3DKR |
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