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IXTD4N80P-3J
MOSFET N-CH 800V 3.6A DIE
NOVA部品番号:
312-2339794-IXTD4N80P-3J
製造元:
製造メーカー部品番号:
IXTD4N80P-3J
ひょうじゅんほうそう:
1
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N-Channel 800 V 3.6A (Tc) 100W (Tc) Surface Mount Die
| カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - 単体 | |
| 製造元 | IXYS | |
| RoHS | 1 | |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 取付タイプ | Surface Mount | |
| サプライヤーデバイスパッケージ | Die | |
| テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) | |
| シリーズ | PolarHV™ | |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 3.6A (Tc) | |
| 駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 10V | |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 3.4Ohm @ 1.8A, 10V | |
| Vgs(th) (最大) @ ID | 5.5V @ 100µA | |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 14.2 nC @ 10 V | |
| FETの特徴 | - | |
| パッケージ・ケース | Die | |
| Vgs (最大) | ±30V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 800 V | |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 750 pF @ 25 V | |
| 消費電力(最大) | 100W (Tc) |
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