SI7317DN-T1-GE3

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MOSFET P-CH 150V 2.8A PPAK1212-8

NOVA部品番号:

312-2277878-SI7317DN-T1-GE3

製造元:

製造メーカー部品番号:

SI7317DN-T1-GE3

ひょうじゅんほうそう:

3,000

技術データシート:

利用可能なダウンロード形式

ワシ

キッカド

P-Channel 150 V 2.8A (Tc) 3.2W (Ta), 19.8W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8

More Information
カテゴリ	トランジスタ - FET、MOSFET - 単体
製造元	Vishay Siliconix
RoHS	1
パッケージング	Tape & Reel (TR)
動作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ	PowerPAK® 1212-8
基本製品番号	SI7317
テクノロジー	MOSFET (Metal Oxide)
シリーズ	TrenchFET®
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C	2.8A (Tc)
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)	6V, 10V
Rds オン (最大) @ Id、Vgs	1.2Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID	4.5V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs	9.8 nC @ 10 V
FETの特徴	-
パッケージ・ケース	PowerPAK® 1212-8
Vgs (最大)	±30V
FETタイプ	P-Channel
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)	150 V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds	365 pF @ 75 V
消費電力(最大)	3.2W (Ta), 19.8W (Tc)
その他の名前	SI7317DN-T1-GE3TR SI7317DN-T1-GE3DKR SI7317DN-T1-GE3CT