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SCTW100N65G2AG
SICFET N-CH 650V 100A HIP247
NOVA部品番号:
312-2283943-SCTW100N65G2AG
製造メーカー部品番号:
SCTW100N65G2AG
ひょうじゅんほうそう:
30
技術データシート:
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N-Channel 650 V 100A (Tc) 420W (Tc) Through Hole HiP247™
| カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - 単体 | |
| 製造元 | STMicroelectronics | |
| RoHS | 1 | |
| 動作温度 | -55°C ~ 200°C (TJ) | |
| 取付タイプ | Through Hole | |
| サプライヤーデバイスパッケージ | HiP247™ | |
| 基本製品番号 | SCTW100 | |
| テクノロジー | SiCFET (Silicon Carbide) | |
| シリーズ | Automotive, AEC-Q101 | |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 100A (Tc) | |
| 駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 18V | |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 26mOhm @ 50A, 18V | |
| Vgs(th) (最大) @ ID | 5V @ 5mA | |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 162 nC @ 18 V | |
| FETの特徴 | - | |
| パッケージ・ケース | TO-247-3 | |
| Vgs (最大) | +22V, -10V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 650 V | |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 3315 pF @ 520 V | |
| 消費電力(最大) | 420W (Tc) | |
| その他の名前 | 497-SCTW100N65G2AG |
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