アルミニウム
ワシ
オーカード
パッド
キッカド
C3M0016120K
SICFET N-CH 1.2KV 115A TO247-4
NOVA部品番号:
312-2289995-C3M0016120K
製造元:
製造メーカー部品番号:
C3M0016120K
ひょうじゅんほうそう:
30
技術データシート:
利用可能なダウンロード形式
フォームに情報を入力してください。すぐにご連絡し、cadモデルを差し上げます。
N-Channel 1200 V 115A (Tc) 556W (Tc) Through Hole TO-247-4L
| カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - 単体 | |
| 製造元 | Wolfspeed, Inc. | |
| RoHS | 1 | |
| 動作温度 | -40°C ~ 175°C (TJ) | |
| 取付タイプ | Through Hole | |
| サプライヤーデバイスパッケージ | TO-247-4L | |
| 基本製品番号 | C3M0016120 | |
| テクノロジー | SiCFET (Silicon Carbide) | |
| シリーズ | C3M™ | |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 115A (Tc) | |
| 駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 15V | |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 22.3mOhm @ 75A, 15V | |
| Vgs(th) (最大) @ ID | 3.6V @ 23mA | |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 211 nC @ 15 V | |
| FETの特徴 | - | |
| パッケージ・ケース | TO-247-4 | |
| Vgs (最大) | +15V, -4V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 1200 V | |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 6085 pF @ 1000 V | |
| 消費電力(最大) | 556W (Tc) | |
| その他の名前 | -3312-C3M0016120K 1697-C3M0016120K |
In stock お問い合わせください
あなたが望む価格ではありませんか？フォームにご記入ください。至急ご連絡いたします。
他にもお気に入りの製品が見つかりました！
C3M0021120KWolfspeed, Inc.
ADW70015Z-0RLAnalog Devices Inc.
C3M0120065KWolfspeed, Inc.
NTHL020N120SC1onsemi
MSC025SMA120B4Microchip Technology
C4D40120DWolfspeed, Inc.
CAB016M12FM3Wolfspeed, Inc.
UF3SC120009K4SUnitedSiC
NVH4L020N120SC1onsemi
G3R20MT12KGeneSiC Semiconductor
C3M0016120DWolfspeed, Inc.
SN6501QDBVRQ1Texas Instruments- NTH4L020N120SC1onsemi
MSC017SMA120B4Microchip Technology
GB50MPS17-247GeneSiC Semiconductor
