SI3460DDV-T1-GE3

JavaScript seems to be disabled in your browser. For the best experience on our site, be sure to turn on Javascript in your browser.

MOSFET N-CH 20V 7.9A 6TSOP

NOVA部品番号:

312-2285051-SI3460DDV-T1-GE3

製造元:

製造メーカー部品番号:

SI3460DDV-T1-GE3

ひょうじゅんほうそう:

3,000

技術データシート:

利用可能なダウンロード形式

ワシ

キッカド

N-Channel 20 V 7.9A (Tc) 1.7W (Ta), 2.7W (Tc) Surface Mount 6-TSOP

More Information
カテゴリ	トランジスタ - FET、MOSFET - 単体
製造元	Vishay Siliconix
RoHS	1
パッケージング	Tape & Reel (TR)
動作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ	6-TSOP
基本製品番号	SI3460
テクノロジー	MOSFET (Metal Oxide)
シリーズ	TrenchFET®
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C	7.9A (Tc)
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)	1.8V, 4.5V
Rds オン (最大) @ Id、Vgs	28mOhm @ 5.1A, 4.5V
Vgs(th) (最大) @ ID	1V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs	18 nC @ 8 V
FETの特徴	-
パッケージ・ケース	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Vgs (最大)	±8V
FETタイプ	N-Channel
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)	20 V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds	666 pF @ 10 V
消費電力(最大)	1.7W (Ta), 2.7W (Tc)
その他の名前	SI3460DDV-T1-GE3DKR SI3460DDV-T1-GE3TR SI3460DDVT1GE3 SI3460DDV-T1-GE3CT