P-Channel 60 V 2.9A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4
カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - 単体 | |
製造元 | Infineon Technologies | |
RoHS | 1 | |
パッケージング | Tape & Reel (TR) | |
動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
取付タイプ | Surface Mount | |
サプライヤーデバイスパッケージ | PG-SOT223-4 | |
基本製品番号 | BSP613 | |
テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) | |
シリーズ | SIPMOS® | |
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 2.9A (Ta) | |
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 10V | |
Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 130mOhm @ 2.9A, 10V | |
Vgs(th) (最大) @ ID | 4V @ 1mA | |
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 33 nC @ 10 V | |
FETの特徴 | - | |
パッケージ・ケース | TO-261-4, TO-261AA | |
Vgs (最大) | ±20V | |
FETタイプ | P-Channel | |
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 60 V | |
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 875 pF @ 25 V | |
消費電力(最大) | 1.8W (Ta) | |
その他の名前 | BSP613PH6327XTSA1TR BSP613PH6327XTSA1CT BSP613PH6327XTSA1DKR SP001058788 |
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