アルミニウム ワシ オーカード パッド キッカド 
C3M0025065D
GEN 3 650V 25 M SIC MOSFET
NOVA部品番号:
312-2265019-C3M0025065D
製造元:
製造メーカー部品番号:
C3M0025065D
ひょうじゅんほうそう:
30
技術データシート:
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N-Channel 650 V 97A (Tc) 326W (Tc) Through Hole TO-247-3
| カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - 単体 | |
| 製造元 | Wolfspeed, Inc. | |
| RoHS | 1 | |
| 動作温度 | -40°C ~ 175°C (TJ) | |
| 取付タイプ | Through Hole | |
| サプライヤーデバイスパッケージ | TO-247-3 | |
| 基本製品番号 | C3M0025065 | |
| テクノロジー | SiCFET (Silicon Carbide) | |
| シリーズ | C3M™ | |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 97A (Tc) | |
| 駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 15V | |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 34mOhm @ 33.5A, 15V | |
| Vgs(th) (最大) @ ID | 3.6V @ 9.22mA | |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 108 nC @ 15 V | |
| FETの特徴 | - | |
| パッケージ・ケース | TO-247-3 | |
| Vgs (最大) | +19V, -8V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 650 V | |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 2980 pF @ 600 V | |
| 消費電力(最大) | 326W (Tc) | |
| その他の名前 | 1697-C3M0025065D -3312-C3M0025065D |
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