IPD031N06L3GATMA1

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MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3

NOVA部品番号:

312-2282988-IPD031N06L3GATMA1

製造元:

製造メーカー部品番号:

IPD031N06L3GATMA1

ひょうじゅんほうそう:

2,500

技術データシート:

利用可能なダウンロード形式

ワシ

キッカド

N-Channel 60 V 100A (Tc) 167W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3

More Information
カテゴリ	トランジスタ - FET、MOSFET - 単体
製造元	Infineon Technologies
RoHS	1
パッケージング	Tape & Reel (TR)
動作温度	-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ	PG-TO252-3
基本製品番号	IPD031
テクノロジー	MOSFET (Metal Oxide)
シリーズ	OptiMOS™
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C	100A (Tc)
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)	4.5V, 10V
Rds オン (最大) @ Id、Vgs	3.1mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID	2.2V @ 93µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs	79 nC @ 4.5 V
FETの特徴	-
パッケージ・ケース	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs (最大)	±20V
FETタイプ	N-Channel
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)	60 V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds	13000 pF @ 30 V
消費電力(最大)	167W (Tc)
その他の名前	IPD031N06L3G IPD031N06L3 GTR-ND IPD031N06L3 GDKR IPD031N06L3 G-ND IPD031N06L3GATMA1TR IPD031N06L3 GCT-ND IPD031N06L3 G IPD031N06L3GATMA1DKR IPD031N06L3GATMA1CT SP000451076 IPD031N06L3 GCT IPD031N06L3 GDKR-ND