アルミニウム ワシ オーカード パッド キッカド 
VN10KN3-G-P002
MOSFET N-CH 60V 310MA TO92-3
NOVA部品番号:
312-2276397-VN10KN3-G-P002
製造メーカー部品番号:
VN10KN3-G-P002
ひょうじゅんほうそう:
2,000
技術データシート:
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N-Channel 60 V 310mA (Tj) 1W (Tc) Through Hole TO-92-3
| カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - 単体 | |
| 製造元 | Microchip Technology | |
| RoHS | 1 | |
| パッケージング | Tape & Reel (TR) | |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 取付タイプ | Through Hole | |
| サプライヤーデバイスパッケージ | TO-92-3 | |
| 基本製品番号 | VN10KN3 | |
| テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) | |
| シリーズ | - | |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 310mA (Tj) | |
| 駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 5V, 10V | |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 5Ohm @ 500mA, 10V | |
| Vgs(th) (最大) @ ID | 2.5V @ 1mA | |
| FETの特徴 | - | |
| パッケージ・ケース | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) | |
| Vgs (最大) | ±30V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 60 V | |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 60 pF @ 25 V | |
| 消費電力(最大) | 1W (Tc) | |
| その他の名前 | VN10KN3-G-P002CT VN10KN3-G-P002DKR VN10KN3-G-P002TR VN10KN3-G-P002DKR-ND VN10KN3-G-P002DKRINACTIVE VN10KN3-G-P002-ND |
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