FCH041N65EFL4

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, N
NOVA部品番号:
312-2278062-FCH041N65EFL4
製造メーカー部品番号:
FCH041N65EFL4
ひょうじゅんほうそう:
1
技術データシート:

N-Channel 650 V 76A (Tc) 595W (Tc) Through Hole TO-247

More Information
カテゴリトランジスタ - FET、MOSFET - 単体
製造元Fairchild Semiconductor
RoHS 1
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプThrough Hole
サプライヤーデバイスパッケージ TO-247
テクノロジーMOSFET (Metal Oxide)
シリーズFRFET®, SuperFET® II
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C 76A (Tc)
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)10V
Rds オン (最大) @ Id、Vgs 41mOhm @ 38A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID 5V @ 7.6mA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs 298 nC @ 10 V
FETの特徴-
パッケージ・ケースTO-247-4
Vgs (最大)±20V
FETタイプN-Channel
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)650 V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds 12560 pF @ 100 V
消費電力(最大) 595W (Tc)
その他の名前2156-FCH041N65EFL4
ONSFSCFCH041N65EFL4

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