FDP2D3N10C

N-CHANNEL SHIELDED GATE POWERTRE
NOVA部品番号:
312-2277473-FDP2D3N10C
製造メーカー部品番号:
FDP2D3N10C
ひょうじゅんほうそう:
1
技術データシート:

N-Channel 100 V 222A (Tc) 214W (Tc) Through Hole TO-220-3

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カテゴリトランジスタ - FET、MOSFET - 単体
製造元Fairchild Semiconductor
RoHS 1
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプThrough Hole
サプライヤーデバイスパッケージ TO-220-3
基本製品番号 FDP2D3
テクノロジーMOSFET (Metal Oxide)
シリーズPowerTrench®
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C 222A (Tc)
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)10V
Rds オン (最大) @ Id、Vgs 2.3mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID 4V @ 700µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs 152 nC @ 10 V
FETの特徴-
パッケージ・ケースTO-220-3
Vgs (最大)±20V
FETタイプN-Channel
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)100 V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds 11180 pF @ 50 V
消費電力(最大) 214W (Tc)
その他の名前ONSFSCFDP2D3N10C
2156-FDP2D3N10C

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