SI9407BDY-T1-GE3

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MOSFET P-CH 60V 4.7A 8SO

NOVA部品番号:

312-2282819-SI9407BDY-T1-GE3

製造元:

製造メーカー部品番号:

SI9407BDY-T1-GE3

ひょうじゅんほうそう:

2,500

技術データシート:

利用可能なダウンロード形式

ワシ

キッカド

P-Channel 60 V 4.7A (Tc) 2.4W (Ta), 5W (Tc) Surface Mount 8-SOIC

More Information
カテゴリ	トランジスタ - FET、MOSFET - 単体
製造元	Vishay Siliconix
RoHS	1
パッケージング	Tape & Reel (TR)
動作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ	8-SOIC
基本製品番号	SI9407
テクノロジー	MOSFET (Metal Oxide)
シリーズ	TrenchFET®
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C	4.7A (Tc)
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)	4.5V, 10V
Rds オン (最大) @ Id、Vgs	120mOhm @ 3.2A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID	3V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs	22 nC @ 10 V
FETの特徴	-
パッケージ・ケース	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vgs (最大)	±20V
FETタイプ	P-Channel
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)	60 V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds	600 pF @ 30 V
消費電力(最大)	2.4W (Ta), 5W (Tc)
その他の名前	SI9407BDY-T1-GE3DKR SI9407BDY-T1-GE3CT SI9407BDYT1GE3 Q6936817FJ SI9407BDY-T1-GE3TR