EPC2215

GAN TRANS 200V 8MOHM BUMPED DIE
NOVA部品番号:
312-2263133-EPC2215
製造元:
製造メーカー部品番号:
EPC2215
ひょうじゅんほうそう:
2,500
技術データシート:

N-Channel 200 V 32A (Ta) - Surface Mount Die

More Information
カテゴリトランジスタ - FET、MOSFET - 単体
製造元EPC
RoHS 1
パッケージングTape & Reel (TR)
動作温度 -40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプSurface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ Die
テクノロジーGaNFET (Gallium Nitride)
シリーズ-
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C 32A (Ta)
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)5V
Rds オン (最大) @ Id、Vgs 8mOhm @ 20A, 5V
Vgs(th) (最大) @ ID 2.5V @ 6mA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs 17.7 nC @ 5 V
FETの特徴-
パッケージ・ケースDie
Vgs (最大)+6V, -4V
FETタイプN-Channel
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)200 V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds 1790 pF @ 100 V
消費電力(最大) -
その他の名前917-1218-2
917-1218-1
917-1218-6

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