IPB107N20N3GATMA1

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MOSFET N-CH 200V 88A D2PAK

NOVA部品番号:

312-2283595-IPB107N20N3GATMA1

製造元:

製造メーカー部品番号:

IPB107N20N3GATMA1

ひょうじゅんほうそう:

1,000

技術データシート:

利用可能なダウンロード形式

ワシ

キッカド

N-Channel 200 V 88A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3

More Information
カテゴリ	トランジスタ - FET、MOSFET - 単体
製造元	Infineon Technologies
RoHS	1
パッケージング	Tape & Reel (TR)
動作温度	-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ	PG-TO263-3
基本製品番号	IPB107
テクノロジー	MOSFET (Metal Oxide)
シリーズ	OptiMOS™
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C	88A (Tc)
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)	10V
Rds オン (最大) @ Id、Vgs	10.7mOhm @ 88A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID	4V @ 270µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs	87 nC @ 10 V
FETの特徴	-
パッケージ・ケース	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs (最大)	±20V
FETタイプ	N-Channel
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)	200 V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds	7100 pF @ 100 V
消費電力(最大)	300W (Tc)
その他の名前	IPB107N20N3 G IPB107N20N3GATMA1CT IPB107N20N3 GCT IPB107N20N3 GCT-ND IPB107N20N3 GTR-ND IPB107N20N3 G-ND SP000676406 IPB107N20N3 GTR IPB107N20N3 GDKR-ND IPB107N20N3 GDKR IPB107N20N3G IPB107N20N3GATMA1DKR IPB107N20N3GATMA1TR