SIRA52DP-T1-GE3

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MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8

NOVA部品番号:

312-2272471-SIRA52DP-T1-GE3

製造元:

製造メーカー部品番号:

SIRA52DP-T1-GE3

ひょうじゅんほうそう:

3,000

技術データシート:

利用可能なダウンロード形式

ワシ

キッカド

N-Channel 40 V 60A (Tc) 48W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8

More Information
カテゴリ	トランジスタ - FET、MOSFET - 単体
製造元	Vishay Siliconix
RoHS	1
パッケージング	Tape & Reel (TR)
動作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ	PowerPAK® SO-8
基本製品番号	SIRA52
テクノロジー	MOSFET (Metal Oxide)
シリーズ	TrenchFET®
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C	60A (Tc)
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)	4.5V, 10V
Rds オン (最大) @ Id、Vgs	1.7mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID	2.4V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs	150 nC @ 10 V
FETの特徴	-
パッケージ・ケース	PowerPAK® SO-8
Vgs (最大)	+20V, -16V
FETタイプ	N-Channel
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)	40 V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds	7150 pF @ 20 V
消費電力(最大)	48W (Tc)
その他の名前	SIRA52DP-T1-GE3CT SIRA52DP-T1-GE3TR SIRA52DP-T1-GE3DKR