アルミニウム
ワシ
オーカード
パッド
キッカド
STD100N10F7
MOSFET N CH 100V 80A DPAK
NOVA部品番号:
312-2280908-STD100N10F7
製造メーカー部品番号:
STD100N10F7
ひょうじゅんほうそう:
2,500
技術データシート:
利用可能なダウンロード形式
フォームに情報を入力してください。すぐにご連絡し、cadモデルを差し上げます。
N-Channel 100 V 80A (Tc) 120W (Tc) Surface Mount DPAK
| カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - 単体 | |
| 製造元 | STMicroelectronics | |
| RoHS | 1 | |
| パッケージング | Tape & Reel (TR) | |
| 動作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| 取付タイプ | Surface Mount | |
| サプライヤーデバイスパッケージ | DPAK | |
| 基本製品番号 | STD100 | |
| テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) | |
| シリーズ | DeepGATE™, STripFET™ VII | |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 80A (Tc) | |
| 駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 10V | |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 8mOhm @ 40A, 10V | |
| Vgs(th) (最大) @ ID | 4.5V @ 250µA | |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 61 nC @ 10 V | |
| FETの特徴 | - | |
| パッケージ・ケース | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| Vgs (最大) | ±20V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 100 V | |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 4369 pF @ 50 V | |
| 消費電力(最大) | 120W (Tc) | |
| その他の名前 | 497-13548-2 497-13548-1 497-13548-5-ND 497-13548-6 497-13548-5 |
In stock お問い合わせください
あなたが望む価格ではありませんか？フォームにご記入ください。至急ご連絡いたします。
他にもお気に入りの製品が見つかりました！
IRF2807STRLPBFInfineon Technologies
AP2204R-3.3TRG1Diodes Incorporated
STTH6004WSTMicroelectronics
LMV331QDBVRQ1Texas Instruments
IPD110N12N3GATMA1Infineon Technologies
STF2N95K5STMicroelectronics
STD105N10F7AGSTMicroelectronics- IPD068N10N3GATMA1Infineon Technologies
- MJD44H11T4STMicroelectronics
