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FQT4N20LTF
MOSFET N-CH 200V 850MA SOT223-4
NOVA部品番号:
312-2285251-FQT4N20LTF
製造元:
製造メーカー部品番号:
FQT4N20LTF
ひょうじゅんほうそう:
4,000
技術データシート:
利用可能なダウンロード形式
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N-Channel 200 V 850mA (Tc) 2.2W (Tc) Surface Mount SOT-223-4
| カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - 単体 | |
| 製造元 | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| パッケージング | Tape & Reel (TR) | |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 取付タイプ | Surface Mount | |
| サプライヤーデバイスパッケージ | SOT-223-4 | |
| 基本製品番号 | FQT4N20 | |
| テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) | |
| シリーズ | QFET® | |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 850mA (Tc) | |
| 駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 5V, 10V | |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 1.35Ohm @ 425mA, 10V | |
| Vgs(th) (最大) @ ID | 2V @ 250µA | |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 5.2 nC @ 5 V | |
| FETの特徴 | - | |
| パッケージ・ケース | TO-261-4, TO-261AA | |
| Vgs (最大) | ±20V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 200 V | |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 310 pF @ 25 V | |
| 消費電力(最大) | 2.2W (Tc) | |
| その他の名前 | FQT4N20LTFDKR FAIFSCFQT4N20LTF FQT4N20LTF-ND FQT4N20LTFTR FQT4N20LTFCT 2156-FQT4N20LTF-OS |
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