SI8800EDB-T2-E1

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MOSFET N-CH 20V 4MICROFOOT

NOVA部品番号:

312-2263342-SI8800EDB-T2-E1

製造元:

製造メーカー部品番号:

SI8800EDB-T2-E1

ひょうじゅんほうそう:

3,000

技術データシート:

利用可能なダウンロード形式

ワシ

キッカド

N-Channel 20 V 2A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount 4-Microfoot

More Information
カテゴリ	トランジスタ - FET、MOSFET - 単体
製造元	Vishay Siliconix
RoHS	1
パッケージング	Tape & Reel (TR)
動作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ	4-Microfoot
基本製品番号	SI8800
テクノロジー	MOSFET (Metal Oxide)
シリーズ	TrenchFET®
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C	2A (Ta)
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)	1.5V, 4.5V
Rds オン (最大) @ Id、Vgs	80mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs(th) (最大) @ ID	1V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs	8.3 nC @ 8 V
FETの特徴	-
パッケージ・ケース	4-XFBGA, CSPBGA
Vgs (最大)	±8V
FETタイプ	N-Channel
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)	20 V
消費電力(最大)	500mW (Ta)
その他の名前	SI8800EDB-T2-E1CT SI8800EDB-T2-E1DKR SI8800EDB-T2-E1TR SI8800EDBT2E1