N-Channel 650 V 8A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-220 Isolated Tab
カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - 単体 | |
製造元 | IXYS | |
RoHS | 1 | |
動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
取付タイプ | Through Hole | |
サプライヤーデバイスパッケージ | TO-220 Isolated Tab | |
基本製品番号 | IXFP8N65 | |
テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) | |
シリーズ | HiPerFET™, Ultra X2 | |
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 8A (Tc) | |
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 10V | |
Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 450mOhm @ 4A, 10V | |
Vgs(th) (最大) @ ID | 5V @ 250µA | |
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 11 nC @ 10 V | |
FETの特徴 | - | |
パッケージ・ケース | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab | |
Vgs (最大) | ±30V | |
FETタイプ | N-Channel | |
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 650 V | |
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 790 pF @ 25 V | |
消費電力(最大) | 150W (Tc) |
あなたが望む価格ではありませんか?フォームにご記入ください。至急ご連絡いたします。