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IPN60R3K4CEATMA1
MOSFET N-CH 600V 2.6A SOT223
NOVA部品番号:
312-2285076-IPN60R3K4CEATMA1
製造メーカー部品番号:
IPN60R3K4CEATMA1
ひょうじゅんほうそう:
3,000
技術データシート:
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N-Channel 600 V 2.6A (Tc) 5W (Tc) Surface Mount PG-SOT223-3
| カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - 単体 | |
| 製造元 | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| パッケージング | Tape & Reel (TR) | |
| 動作温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) | |
| 取付タイプ | Surface Mount | |
| サプライヤーデバイスパッケージ | PG-SOT223-3 | |
| 基本製品番号 | IPN60R3 | |
| テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) | |
| シリーズ | CoolMOS™ | |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 2.6A (Tc) | |
| 駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 10V | |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 3.4Ohm @ 500mA, 10V | |
| Vgs(th) (最大) @ ID | 3.5V @ 40µA | |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 4.6 nC @ 10 V | |
| FETの特徴 | Super Junction | |
| パッケージ・ケース | TO-261-4, TO-261AA | |
| Vgs (最大) | ±20V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 600 V | |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 93 pF @ 100 V | |
| 消費電力(最大) | 5W (Tc) | |
| その他の名前 | IPN60R3K4CEATMA1DKR IPN60R3K4CEATMA1CT IPN60R3K4CEATMA1TR SP001434888 |
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