FDS6675BZ

MOSFET P-CH 30V 11A 8SOIC
NOVA部品番号:
312-2276870-FDS6675BZ
製造元:
製造メーカー部品番号:
FDS6675BZ
ひょうじゅんほうそう:
2,500
技術データシート:

P-Channel 30 V 11A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC

More Information
カテゴリトランジスタ - FET、MOSFET - 単体
製造元onsemi
RoHS 1
パッケージングTape & Reel (TR)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプSurface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ 8-SOIC
基本製品番号 FDS6675
テクノロジーMOSFET (Metal Oxide)
シリーズPowerTrench®
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C 11A (Ta)
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)4.5V, 10V
Rds オン (最大) @ Id、Vgs 13mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID 3V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs 62 nC @ 10 V
FETの特徴-
パッケージ・ケース8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vgs (最大)±25V
FETタイプP-Channel
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)30 V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds 2470 pF @ 15 V
消費電力(最大) 2.5W (Ta)
その他の名前FAIFSCFDS6675BZ
FDS6675BZCT
FDS6675BZDKR
FDS6675BZTR
2156-FDS6675BZ-OS

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