SI2302CDS-T1-GE3

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MOSFET N-CH 20V 2.6A SOT23-3

NOVA部品番号:

312-2280336-SI2302CDS-T1-GE3

製造元:

製造メーカー部品番号:

SI2302CDS-T1-GE3

ひょうじゅんほうそう:

3,000

技術データシート:

利用可能なダウンロード形式

ワシ

キッカド

N-Channel 20 V 2.6A (Ta) 710mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)

More Information
カテゴリ	トランジスタ - FET、MOSFET - 単体
製造元	Vishay Siliconix
RoHS	1
パッケージング	Tape & Reel (TR)
動作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ	SOT-23-3 (TO-236)
基本製品番号	SI2302
テクノロジー	MOSFET (Metal Oxide)
シリーズ	TrenchFET®
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C	2.6A (Ta)
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)	2.5V, 4.5V
Rds オン (最大) @ Id、Vgs	57mOhm @ 3.6A, 4.5V
Vgs(th) (最大) @ ID	850mV @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs	5.5 nC @ 4.5 V
FETの特徴	-
パッケージ・ケース	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vgs (最大)	±8V
FETタイプ	N-Channel
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)	20 V
消費電力(最大)	710mW (Ta)
その他の名前	SI2302CDS-T1-GE3CT SI2302CDST1GE3 SI2302CDS-T1-GE3DKR SI2302CDS-T1-GE3TR