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NTLJS5D0N03CTAG
MOSFET N-CH 30V 11.2A 6PQFN
NOVA部品番号:
312-2285489-NTLJS5D0N03CTAG
製造元:
製造メーカー部品番号:
NTLJS5D0N03CTAG
ひょうじゅんほうそう:
3,000
技術データシート:
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N-Channel 30 V 11.2A (Ta) 860mW (Ta) Surface Mount 6-PQFN (2x2)
| カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - 単体 | |
| 製造元 | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| パッケージング | Tape & Reel (TR) | |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 取付タイプ | Surface Mount | |
| サプライヤーデバイスパッケージ | 6-PQFN (2x2) | |
| 基本製品番号 | NTLJS5 | |
| テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) | |
| シリーズ | - | |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 11.2A (Ta) | |
| 駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 4.5V, 10V | |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 4.38mOhm @ 10A, 10V | |
| Vgs(th) (最大) @ ID | 2.2V @ 250µA | |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 18 nC @ 10 V | |
| FETの特徴 | - | |
| パッケージ・ケース | 6-PowerWDFN | |
| Vgs (最大) | ±20V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 30 V | |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 1255 pF @ 15 V | |
| 消費電力(最大) | 860mW (Ta) | |
| その他の名前 | NTLJS5D0N03CTAGOSCT NTLJS5D0N03CTAGOSTR NTLJS5D0N03CTAGOSDKR |
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