アルミニウム ワシ オーカード パッド キッカド 
PHD22NQ20T,118
MOSFET N-CH 200V 21.1A DPAK
NOVA部品番号:
312-2343315-PHD22NQ20T,118
製造元:
製造メーカー部品番号:
PHD22NQ20T,118
ひょうじゅんほうそう:
2,500
技術データシート:
利用可能なダウンロード形式
フォームに情報を入力してください。すぐにご連絡し、cadモデルを差し上げます。
N-Channel 200 V 21.1A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount DPAK
| カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - 単体 | |
| 製造元 | NXP USA Inc. | |
| RoHS | 1 | |
| パッケージング | Tape & Reel (TR) | |
| 動作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| 取付タイプ | Surface Mount | |
| サプライヤーデバイスパッケージ | DPAK | |
| 基本製品番号 | PHD22 | |
| テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) | |
| シリーズ | TrenchMOS™ | |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 21.1A (Tc) | |
| 駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 10V | |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 120mOhm @ 12A, 10V | |
| Vgs(th) (最大) @ ID | 4V @ 1mA | |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 30.8 nC @ 10 V | |
| FETの特徴 | - | |
| パッケージ・ケース | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| Vgs (最大) | ±20V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 200 V | |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 1380 pF @ 25 V | |
| 消費電力(最大) | 150W (Tc) | |
| その他の名前 | 934058112118 PHD22NQ20T /T3 PHD22NQ20T /T3-ND |
In stock お問い合わせください
あなたが望む価格ではありませんか？フォームにご記入ください。至急ご連絡いたします。