N-Channel 200 V 580A (Tc) - Chassis Mount Y3-Li
カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - 単体 | |
製造元 | IXYS | |
RoHS | 1 | |
動作温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) | |
取付タイプ | Chassis Mount | |
サプライヤーデバイスパッケージ | Y3-Li | |
基本製品番号 | VMO580 | |
テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) | |
シリーズ | HiPerFET™ | |
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 580A (Tc) | |
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 10V | |
Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 3.8mOhm @ 430A, 10V | |
Vgs(th) (最大) @ ID | 4V @ 50mA | |
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 2750 nC @ 10 V | |
FETの特徴 | - | |
パッケージ・ケース | Y3-Li | |
Vgs (最大) | ±20V | |
FETタイプ | N-Channel | |
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 200 V | |
消費電力(最大) | - | |
その他の名前 | VMO580-02F-NDR Q1221985A VMO58002F |
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