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IRF3808STRLPBF
MOSFET N-CH 75V 106A D2PAK
NOVA部品番号:
312-2264326-IRF3808STRLPBF
製造メーカー部品番号:
IRF3808STRLPBF
ひょうじゅんほうそう:
800
技術データシート:
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N-Channel 75 V 106A (Tc) 200W (Tc) Surface Mount D2PAK
| カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - 単体 | |
| 製造元 | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| パッケージング | Tape & Reel (TR) | |
| 動作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| 取付タイプ | Surface Mount | |
| サプライヤーデバイスパッケージ | D2PAK | |
| 基本製品番号 | IRF3808 | |
| テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) | |
| シリーズ | HEXFET® | |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 106A (Tc) | |
| 駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 10V | |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 7mOhm @ 82A, 10V | |
| Vgs(th) (最大) @ ID | 4V @ 250µA | |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 220 nC @ 10 V | |
| FETの特徴 | - | |
| パッケージ・ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| Vgs (最大) | ±20V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 75 V | |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 5310 pF @ 25 V | |
| 消費電力(最大) | 200W (Tc) | |
| その他の名前 | IRF3808STRLPBFCT IRF3808STRLPBFDKR IRF3808STRLPBFTR SP001559612 IRF3808STRLPBF-ND |
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