SI1013X-T1-GE3

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MOSFET P-CH 20V 350MA SC89-3

NOVA部品番号:

312-2284564-SI1013X-T1-GE3

製造元:

製造メーカー部品番号:

SI1013X-T1-GE3

ひょうじゅんほうそう:

3,000

技術データシート:

利用可能なダウンロード形式

ワシ

キッカド

P-Channel 20 V 350mA (Ta) 250mW (Ta) Surface Mount SC-89-3

More Information
カテゴリ	トランジスタ - FET、MOSFET - 単体
製造元	Vishay Siliconix
RoHS	1
パッケージング	Tape & Reel (TR)
動作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ	SC-89-3
基本製品番号	SI1013
テクノロジー	MOSFET (Metal Oxide)
シリーズ	TrenchFET®
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C	350mA (Ta)
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)	1.8V, 4.5V
Rds オン (最大) @ Id、Vgs	1.2Ohm @ 350mA, 4.5V
Vgs(th) (最大) @ ID	450mV @ 250µA (Min)
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs	1.5 nC @ 4.5 V
FETの特徴	-
パッケージ・ケース	SC-89, SOT-490
Vgs (最大)	±6V
FETタイプ	P-Channel
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)	20 V
消費電力(最大)	250mW (Ta)
その他の名前	SI1013X-T1-GE3TR SI1013X-T1-GE3DKR SI1013XT1GE3 SI1013X-T1-GE3CT