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XPN9R614MC,L1XHQ
MOSFET P-CH 40V 40A 8TSON
NOVA部品番号:
312-2288009-XPN9R614MC,L1XHQ
製造メーカー部品番号:
XPN9R614MC,L1XHQ
ひょうじゅんほうそう:
5,000
技術データシート:
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P-Channel 40 V 40A (Ta) 840mW (Ta), 100W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance-WF (3.1x3.1)
| カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - 単体 | |
| 製造元 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| RoHS | 1 | |
| パッケージング | Tape & Reel (TR) | |
| 動作温度 | 175°C | |
| 取付タイプ | Surface Mount | |
| サプライヤーデバイスパッケージ | 8-TSON Advance-WF (3.1x3.1) | |
| 基本製品番号 | XPN9R614 | |
| テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) | |
| シリーズ | Automotive, AEC-Q101, U-MOSVI | |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 40A (Ta) | |
| 駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 4.5V, 10V | |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 9.6mOhm @ 20A, 10V | |
| Vgs(th) (最大) @ ID | 2.1V @ 500µA | |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 64 nC @ 10 V | |
| FETの特徴 | - | |
| パッケージ・ケース | 8-PowerVDFN | |
| Vgs (最大) | +10V, -20V | |
| FETタイプ | P-Channel | |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 40 V | |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 3000 pF @ 10 V | |
| 消費電力(最大) | 840mW (Ta), 100W (Tc) | |
| その他の名前 | 264-XPN9R614MCL1XHQCT XPN9R614MC,L1XHQ(O 264-XPN9R614MCL1XHQTR 264-XPN9R614MCL1XHQDKR |
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