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MVB50P03HDLT4G
MOSFET P-CH 30V 50A D2PAK-3
NOVA部品番号:
312-2339817-MVB50P03HDLT4G
製造元:
製造メーカー部品番号:
MVB50P03HDLT4G
ひょうじゅんほうそう:
1
技術データシート:
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P-Channel 30 V 50A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount D²PAK
| カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - 単体 | |
| 製造元 | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 取付タイプ | Surface Mount | |
| サプライヤーデバイスパッケージ | D²PAK | |
| 基本製品番号 | MVB50 | |
| テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) | |
| シリーズ | Automotive, AEC-Q101 | |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 50A (Tc) | |
| 駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 5V | |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 25mOhm @ 25A, 5V | |
| Vgs(th) (最大) @ ID | 2V @ 250µA | |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 100 nC @ 5 V | |
| FETの特徴 | - | |
| パッケージ・ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| Vgs (最大) | ±15V | |
| FETタイプ | P-Channel | |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 30 V | |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 4900 pF @ 25 V | |
| 消費電力(最大) | 125W (Tc) |
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