SIA427DJ-T1-GE3

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MOSFET P-CH 8V 12A PPAK SC70-6

NOVA部品番号:

312-2280699-SIA427DJ-T1-GE3

製造元:

製造メーカー部品番号:

SIA427DJ-T1-GE3

ひょうじゅんほうそう:

3,000

技術データシート:

利用可能なダウンロード形式

ワシ

キッカド

P-Channel 8 V 12A (Tc) 3.5W (Ta), 19W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6

More Information
カテゴリ	トランジスタ - FET、MOSFET - 単体
製造元	Vishay Siliconix
RoHS	1
パッケージング	Tape & Reel (TR)
動作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ	PowerPAK® SC-70-6
基本製品番号	SIA427
テクノロジー	MOSFET (Metal Oxide)
シリーズ	TrenchFET®
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C	12A (Tc)
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)	1.2V, 4.5V
Rds オン (最大) @ Id、Vgs	16mOhm @ 8.2A, 4.5V
Vgs(th) (最大) @ ID	800mV @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs	50 nC @ 5 V
FETの特徴	-
パッケージ・ケース	PowerPAK® SC-70-6
Vgs (最大)	±5V
FETタイプ	P-Channel
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)	8 V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds	2300 pF @ 4 V
消費電力(最大)	3.5W (Ta), 19W (Tc)
その他の名前	SIA427DJ-T1-GE3TR SIA427DJT1GE3 SIA427DJ-T1-GE3CT SIA427DJ-T1-GE3DKR