IXTY1R4N120PHV

MOSFET N-CH 1200V 1.4A TO252
NOVA部品番号:
312-2305972-IXTY1R4N120PHV
製造元:
製造メーカー部品番号:
IXTY1R4N120PHV
ひょうじゅんほうそう:
2,500
技術データシート:

N-Channel 1200 V 1.4A (Tc) 86W (Tc) Surface Mount TO-252AA

More Information
カテゴリトランジスタ - FET、MOSFET - 単体
製造元IXYS
RoHS 1
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプSurface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ TO-252AA
基本製品番号 IXTY1
テクノロジーMOSFET (Metal Oxide)
シリーズPolar
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C 1.4A (Tc)
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)10V
Rds オン (最大) @ Id、Vgs 13Ohm @ 700mA, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID 4.5V @ 100µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs 24.8 nC @ 10 V
FETの特徴-
パッケージ・ケースTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs (最大)±30V
FETタイプN-Channel
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)1200 V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds 666 pF @ 25 V
消費電力(最大) 86W (Tc)

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