アルミニウム ワシ オーカード パッド キッカド 
SQJ459EP-T1_GE3
MOSFET P-CH 60V 52A PPAK SO-8
NOVA部品番号:
312-2280897-SQJ459EP-T1_GE3
製造元:
製造メーカー部品番号:
SQJ459EP-T1_GE3
ひょうじゅんほうそう:
3,000
技術データシート:
利用可能なダウンロード形式
フォームに情報を入力してください。すぐにご連絡し、cadモデルを差し上げます。
P-Channel 60 V 52A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
| カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - 単体 | |
| 製造元 | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| パッケージング | Tape & Reel (TR) | |
| 動作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| 取付タイプ | Surface Mount | |
| サプライヤーデバイスパッケージ | PowerPAK® SO-8 | |
| 基本製品番号 | SQJ459 | |
| テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) | |
| シリーズ | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® | |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 52A (Tc) | |
| 駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 4.5V, 10V | |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 18mOhm @ 3.5A, 10V | |
| Vgs(th) (最大) @ ID | 2.5V @ 250µA | |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 108 nC @ 10 V | |
| FETの特徴 | - | |
| パッケージ・ケース | PowerPAK® SO-8 | |
| Vgs (最大) | ±20V | |
| FETタイプ | P-Channel | |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 60 V | |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 4586 pF @ 30 V | |
| 消費電力(最大) | 83W (Tc) | |
| その他の名前 | SQJ459EP-T1_GE3CT SQJ459EP-T1_GE3DKR SQJ459EP-T1_GE3TR |
In stock お問い合わせください
あなたが望む価格ではありませんか？フォームにご記入ください。至急ご連絡いたします。
他にもお気に入りの製品が見つかりました！
SI1902CDL-T1-GE3Vishay Siliconix
SS34FAonsemi
STUSB4500QTRSTMicroelectronics
LM2903QPWRG4Q1Texas Instruments
TPS74601PBDRVRTexas Instruments
SN65HVD1476DGSRTexas Instruments
SQJ457EP-T1_GE3Vishay Siliconix
AP22804AM8-13Diodes Incorporated
FSV10100Vonsemi
SQJ433EP-T1_GE3Vishay Siliconix- LM2903VQPWRG4Q1Texas Instruments
- SQJ479EP-T1_GE3Vishay Siliconix
OPA207IDBVRTexas Instruments
