アルミニウム
ワシ
オーカード
パッド
キッカド
BSZ060NE2LSATMA1
MOSFET N-CH 25V 12A/40A TSDSON
NOVA部品番号:
312-2282052-BSZ060NE2LSATMA1
製造メーカー部品番号:
BSZ060NE2LSATMA1
ひょうじゅんほうそう:
5,000
技術データシート:
利用可能なダウンロード形式
フォームに情報を入力してください。すぐにご連絡し、cadモデルを差し上げます。
N-Channel 25 V 12A (Ta), 40A (Tc) 2.1W (Ta), 26W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8-FL
| カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - 単体 | |
| 製造元 | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| パッケージング | Tape & Reel (TR) | |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 取付タイプ | Surface Mount | |
| サプライヤーデバイスパッケージ | PG-TSDSON-8-FL | |
| 基本製品番号 | BSZ060 | |
| テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) | |
| シリーズ | OptiMOS™ | |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 12A (Ta), 40A (Tc) | |
| 駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 4.5V, 10V | |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 6mOhm @ 20A, 10V | |
| Vgs(th) (最大) @ ID | 2V @ 250µA | |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 9.1 nC @ 10 V | |
| FETの特徴 | - | |
| パッケージ・ケース | 8-PowerTDFN | |
| Vgs (最大) | ±20V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 25 V | |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 670 pF @ 12 V | |
| 消費電力(最大) | 2.1W (Ta), 26W (Tc) | |
| その他の名前 | BSZ060NE2LS BSZ060NE2LS-ND BSZ060NE2LSATMA1CT BSZ060NE2LSDKR-ND SP000776122 BSZ060NE2LSCT-ND BSZ060NE2LSTR-ND BSZ060NE2LSATMA1DKR BSZ060NE2LSDKR BSZ060NE2LSATMA1TR BSZ060NE2LSCT |
In stock お問い合わせください
あなたが望む価格ではありませんか？フォームにご記入ください。至急ご連絡いたします。
他にもお気に入りの製品が見つかりました！
LTC4372HMS8#TRPBFAnalog Devices Inc.
LTC3350IUHF#PBFAnalog Devices Inc.
LTC3351IUFF#PBFAnalog Devices Inc.
SN74LVC1G14DCKRTexas Instruments
SIS434DN-T1-GE3Vishay Siliconix
BSZ018NE2LSIATMA1Infineon Technologies
SQJ457EP-T1_GE3Vishay Siliconix
LP8867QPWPRQ1Texas Instruments
SLG55021-200010VDialog Semiconductor GmbH
1N4448HWT-7Diodes Incorporated- BSZ018NE2LSATMA1Infineon Technologies
