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STB30N65DM6AG
AUTOMOTIVE-GRADE N-CHANNEL 650 V
NOVA部品番号:
312-2273058-STB30N65DM6AG
製造メーカー部品番号:
STB30N65DM6AG
ひょうじゅんほうそう:
1,000
技術データシート:
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N-Channel 650 V 28A (Tc) 223W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263)
| カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - 単体 | |
| 製造元 | STMicroelectronics | |
| RoHS | 1 | |
| パッケージング | Tape & Reel (TR) | |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 取付タイプ | Surface Mount | |
| サプライヤーデバイスパッケージ | D²PAK (TO-263) | |
| テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) | |
| シリーズ | Automotive, AEC-Q101, MDmesh™ DM2 | |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 28A (Tc) | |
| 駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 10V | |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 115mOhm @ 10A, 10V | |
| Vgs(th) (最大) @ ID | 4.75V @ 250µA | |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 46 nC @ 10 V | |
| FETの特徴 | - | |
| パッケージ・ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| Vgs (最大) | ±25V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 650 V | |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 2000 pF @ 100 V | |
| 消費電力(最大) | 223W (Tc) | |
| その他の名前 | 497-STB30N65DM6AGTR 497-STB30N65DM6AGDKR 497-STB30N65DM6AGCT |
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