N-Channel 80 V 24.7A (Ta), 106A (Tc) 5.4W (Ta), 100W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - 単体 | |
製造元 | Vishay Siliconix | |
RoHS | 1 | |
パッケージング | Tape & Reel (TR) | |
動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
取付タイプ | Surface Mount | |
サプライヤーデバイスパッケージ | PowerPAK® SO-8 | |
基本製品番号 | SIR120 | |
テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) | |
シリーズ | TrenchFET® Gen IV | |
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 24.7A (Ta), 106A (Tc) | |
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 7.5V, 10V | |
Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 3.55mOhm @ 15A, 10V | |
Vgs(th) (最大) @ ID | 3.5V @ 250µA | |
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 94 nC @ 10 V | |
FETの特徴 | - | |
パッケージ・ケース | PowerPAK® SO-8 | |
Vgs (最大) | ±20V | |
FETタイプ | N-Channel | |
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 80 V | |
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 4150 pF @ 40 V | |
消費電力(最大) | 5.4W (Ta), 100W (Tc) | |
その他の名前 | SIR120DP-T1-RE3TR SIR120DP-T1-RE3CT SIR120DP-T1-RE3DKR |
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