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SQJQ466E-T1_GE3
MOSFET N-CH 60V 200A PPAK 8 X 8
NOVA部品番号:
312-2288702-SQJQ466E-T1_GE3
製造元:
製造メーカー部品番号:
SQJQ466E-T1_GE3
ひょうじゅんほうそう:
2,000
技術データシート:
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N-Channel 60 V 200A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 8 x 8
| カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - 単体 | |
| 製造元 | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| パッケージング | Tape & Reel (TR) | |
| 動作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| 取付タイプ | Surface Mount | |
| サプライヤーデバイスパッケージ | PowerPAK® 8 x 8 | |
| 基本製品番号 | SQJQ466 | |
| テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) | |
| シリーズ | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® | |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 200A (Tc) | |
| 駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 10V | |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 1.9mOhm @ 10A, 10V | |
| Vgs(th) (最大) @ ID | 3.5V @ 250µA | |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 180 nC @ 10 V | |
| FETの特徴 | - | |
| パッケージ・ケース | PowerPAK® 8 x 8 | |
| Vgs (最大) | ±20V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 60 V | |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 10210 pF @ 25 V | |
| 消費電力(最大) | 150W (Tc) | |
| その他の名前 | SQJQ466E-T1 GE3 SQJQ466E-T1_GE3DKR SQJQ466E-T1_GE3CT SQJQ466E-T1_GE3TR |
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