アルミニウム
ワシ
オーカード
パッド
キッカド
PSMN3R7-100BSEJ
MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
NOVA部品番号:
312-2283294-PSMN3R7-100BSEJ
製造メーカー部品番号:
PSMN3R7-100BSEJ
ひょうじゅんほうそう:
800
技術データシート:
利用可能なダウンロード形式
フォームに情報を入力してください。すぐにご連絡し、cadモデルを差し上げます。
N-Channel 100 V 120A (Ta) 405W (Ta) Surface Mount D2PAK
| カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - 単体 | |
| 製造元 | Nexperia USA Inc. | |
| RoHS | 1 | |
| パッケージング | Tape & Reel (TR) | |
| 動作温度 | 175°C (TJ) | |
| 取付タイプ | Surface Mount | |
| サプライヤーデバイスパッケージ | D2PAK | |
| 基本製品番号 | PSMN3R7 | |
| テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) | |
| シリーズ | - | |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 120A (Ta) | |
| 駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 10V | |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 3.95mOhm @ 25A, 10V | |
| Vgs(th) (最大) @ ID | 4V @ 1mA | |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 246 nC @ 10 V | |
| FETの特徴 | - | |
| パッケージ・ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| Vgs (最大) | ±20V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 100 V | |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 16370 pF @ 50 V | |
| 消費電力(最大) | 405W (Ta) | |
| その他の名前 | 1727-PSMN3R7-100BSEJCT 934660326118 PSMN3R7-100BSEJ-ND 1727-PSMN3R7-100BSEJTR 1727-PSMN3R7-100BSEJDKR |
In stock お問い合わせください
あなたが望む価格ではありませんか？フォームにご記入ください。至急ご連絡いたします。
他にもお気に入りの製品が見つかりました！
5505607FDialight
STH150N10F7-2STMicroelectronics
V60DM100C-M3/IVishay General Semiconductor - Diodes Division
BAT54HMT116Rohm Semiconductor
AOB66916LAlpha & Omega Semiconductor Inc.
S2Monsemi
ZXMN10A07FTADiodes Incorporated
MMBT5401LT1Gonsemi
