N-Channel 100 V 190mA (Ta) 830mW (Tc) Surface Mount TO-236AB
カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - 単体 | |
製造元 | Nexperia USA Inc. | |
RoHS | 1 | |
パッケージング | Tape & Reel (TR) | |
動作温度 | -65°C ~ 150°C (TJ) | |
取付タイプ | Surface Mount | |
サプライヤーデバイスパッケージ | TO-236AB | |
基本製品番号 | BST82 | |
テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) | |
シリーズ | TrenchMOS™ | |
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 190mA (Ta) | |
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 5V | |
Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 10Ohm @ 150mA, 5V | |
Vgs(th) (最大) @ ID | 2V @ 1mA | |
FETの特徴 | - | |
パッケージ・ケース | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
Vgs (最大) | ±20V | |
FETタイプ | N-Channel | |
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 100 V | |
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 40 pF @ 10 V | |
消費電力(最大) | 830mW (Tc) | |
その他の名前 | 568-6229-6-ND 568-6229-2 568-6229-2-ND BST82 T/R 568-6229-1 568-6229-1-ND 1727-4937-2 1727-4937-6 BST82,215-ND 1727-4937-1 BST82 T/R-ND 933733110215 568-6229-6 |
あなたが望む価格ではありませんか?フォームにご記入ください。至急ご連絡いたします。