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BSC0805LSATMA1
100V, N-CH MOSFET, LOGIC LEVEL,
NOVA部品番号:
312-2313711-BSC0805LSATMA1
製造メーカー部品番号:
BSC0805LSATMA1
ひょうじゅんほうそう:
5,000
技術データシート:
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N-Channel 100 V 79A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-6
| カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - 単体 | |
| 製造元 | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| パッケージング | Tape & Reel (TR) | |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 取付タイプ | Surface Mount | |
| サプライヤーデバイスパッケージ | PG-TDSON-8-6 | |
| 基本製品番号 | BSC0805 | |
| テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) | |
| シリーズ | OptiMOS™ 5 | |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 79A (Tc) | |
| 駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 4.5V, 10V | |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 7mOhm @ 40A, 10V | |
| Vgs(th) (最大) @ ID | 2.3V @ 49µA | |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 20 nC @ 4.5 V | |
| FETの特徴 | - | |
| パッケージ・ケース | 8-PowerTDFN | |
| Vgs (最大) | ±20V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 100 V | |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 2700 pF @ 50 V | |
| 消費電力(最大) | 83W (Tc) | |
| その他の名前 | SP001861048 448-BSC0805LSATMA1CT 448-BSC0805LSATMA1DKR 448-BSC0805LSATMA1TR |
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