BSS670S2LH6327XTSA1

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MOSFET N-CH 55V 540MA SOT23-3

NOVA部品番号:

312-2274739-BSS670S2LH6327XTSA1

製造元:

製造メーカー部品番号:

BSS670S2LH6327XTSA1

ひょうじゅんほうそう:

3,000

技術データシート:

利用可能なダウンロード形式

ワシ

キッカド

N-Channel 55 V 540mA (Ta) 360mW (Ta) Surface Mount PG-SOT23

More Information
カテゴリ	トランジスタ - FET、MOSFET - 単体
製造元	Infineon Technologies
RoHS	1
パッケージング	Tape & Reel (TR)
動作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ	PG-SOT23
基本製品番号	BSS670
テクノロジー	MOSFET (Metal Oxide)
シリーズ	OptiMOS™
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C	540mA (Ta)
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)	4.5V, 10V
Rds オン (最大) @ Id、Vgs	650mOhm @ 270mA, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID	2V @ 2.7µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs	2.26 nC @ 10 V
FETの特徴	-
パッケージ・ケース	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vgs (最大)	±20V
FETタイプ	N-Channel
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)	55 V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds	75 pF @ 25 V
消費電力(最大)	360mW (Ta)
その他の名前	BSS670S2L H6327DKR BSS670S2L H6327CT BSS670S2LH6327XTSA1CT BSS670S2L H6327DKR-ND BSS670S2L H6327-ND BSS670S2LH6327XTSA1TR BSS670S2LH6327XTSA1DKR SP000928950 BSS670S2L H6327CT-ND BSS670S2L H6327TR-ND BSS670S2L H6327 BSS670S2LH6327