N-Channel 60 V 2A (Ta) 800mW (Ta) Surface Mount UFM
カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - 単体 | |
製造元 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
RoHS | 1 | |
パッケージング | Tape & Reel (TR) | |
動作温度 | 150°C | |
取付タイプ | Surface Mount | |
サプライヤーデバイスパッケージ | UFM | |
基本製品番号 | SSM3K2615 | |
テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) | |
シリーズ | π-MOSV | |
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 2A (Ta) | |
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 3.3V, 10V | |
Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 300mOhm @ 1A, 10V | |
Vgs(th) (最大) @ ID | 2V @ 1mA | |
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 6 nC @ 10 V | |
FETの特徴 | - | |
パッケージ・ケース | 3-SMD, Flat Leads | |
Vgs (最大) | ±20V | |
FETタイプ | N-Channel | |
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 60 V | |
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 150 pF @ 10 V | |
消費電力(最大) | 800mW (Ta) | |
その他の名前 | SSM3K2615TULFDKR SSM3K2615TU,LF(B SSM3K2615TULFCT SSM3K2615TULFTR SSM3K2615TULF SSM3K2615TULF(B |
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